数据列表 | IXF(K,X)32N50Q |
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产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HiPerFET?? |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时) | 32A (Tc) |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) | 160 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | 4.5V @ 4mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 150nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3950pF @ 25V |
功率 - 值 | 416W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | PLUS247?-3 |
主营概要:ST、MAX、NXP、ON
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